怕不是都是天赋吧？？？
顿时，沈靖感觉自己被打击的不轻。
他实在想不明白，燕大这是出了个什么样的妖孽？
沈靖之所以会这样想，倒不是就因为看到陈舟看的文献数量。
而是，陈舟的种种表现，已经给他留下了这样的印象。
但沈靖又有点担心。
毕竟，一个人的精力是有限的，现在陈舟已经至少横跨了数学、物理、化学三大基础学科了。
这怎么忙的过来？
第二百四十五章 摇人帮忙
就在沈靖内心发出万般感慨的时候，陈舟回来了。
还带着一个瘦高个，戴眼镜的男生。
“学长，我来介绍一下。”陈舟指了指身旁的男生，介绍道，“这是我高中同桌张一凡，华国科学技术大学化学系的，被我喊来帮忙了。”
说完，陈舟又指了指沈靖：“这是这次和我一起来庐州参加课题的沈靖学长，和我一样，燕大数学系的。”
“你好。”张一凡和沈靖互相问了声好。
“一凡，你来这边。”陈舟把椅子搬好，放在桌子边，然后说道，“你下午下载的文献资料，去掉前面的47篇，后面的那些文献里具体的工艺资料，就靠你帮我整理了。”
“没问题。”张一凡点点头，但随即想到不对劲，这去掉47篇的话，还剩下……
？？？
陈舟笑看着张一凡说道：“我相信你可以的！”
张一凡：“……”
沈靖看着张一凡，然后凑到陈舟身边，轻声问道：“你什么时候让他帮你下载的文献？”
陈舟说道：“我在去吴博士办公室前，给他打了电话，让他帮忙查找的文献资料。毕竟有些文献，在学校图书馆才能下。”
沈靖恍然，随即深深的看了陈舟一眼。
听到两人的话，张一凡笑着道：“我还以为陈舟突然打电话给我什么事呢，结果是让我帮忙查文献。我就说你这次来庐州，怎么也不提前打声招呼呢？”
陈舟笑着说道：“我这不才刚到吗？这刚到就找你，还不够意思吗？”
张一凡不置可否，他估计要不是因为要查文献资料，陈舟大概率是在临走前才会打电话说一下。
不过对此他也理解，这又不是什么假期，是有任务来的。
而且看这架势，应该是时间比较紧的任务。
所以接到电话后，张一凡也二话没说，花了一下午的时间，帮陈舟查文献。
只是令他十分不解的是，陈舟这家伙居然要那么多文献资料……
这玩意，难道还多多益善吗？
“听说你要去国外做学术报告了？”张一凡想到自己在网上看到的消息，便问陈舟。
陈舟坐回桌子前，边翻文献，边说道：“嗯，下个月15号，关于冰雹猜想的证明，做个报告。”
“可以啊破釜，我本来还以为网上消息不可信，没想到是真的！”张一凡很是为陈舟高兴。
陈舟笑了笑，督促道：“你赶紧的干活，回头请你吃大餐！晚上你还得回学校，不能太晚。”
“成交！”张一凡笑道。
随即，两人不再交谈，各自忙着手中的工作。
沈靖不由得看了两人一眼，陈舟和张一凡都是认真的在看着文献，全然不像刚才还说说笑笑的模样。
“这进入状态也太快了吧？”沈靖暗自嘀咕一声。
他却不知道，张一凡的学习习惯，基本上都是在高中复读时，坐在陈舟身边，被那股压力给压出来的。
不止是张一凡，陈舟周边的同学，或多或少的都受到了不少的影响。
在陈舟改变的同时，他们也在默默的改变着。
陈舟把主要的整理任务分别交给了张一凡和沈靖，这也让他有了时间，可以更多的去研究金刚石薄膜的整个制备工艺。
只有完全了解，才能改进制备方法。
而且，陈舟并不打算一开始就针对MPCVD法去研究。
他打算先全面一点，再寻求突破。
金刚石薄膜的制备方法有一个变迁。
从上世纪50年代的高温高压，到80年代初日国科学家首次使用的CVD法，再到今天的多种合成方法。
说是多种合成方法，但其实也都是基于CVD法的基础上，进行改进的。
【热丝CVD法（HFCVD）制备金刚石膜】
这篇文献对于HFCVD法制备金刚石膜的介绍比较全面。
虽然这种方法是CVD法的鼻祖，但是现在使用的仍然非常普遍，而且发展成沉积金刚石薄膜较为成熟的方法之一。
这种方法需要在衬底上方设置金属热丝，常用的像钨丝、钽丝。
再将含碳气体高温加热到2000～2200℃，进行分解，形成活性粒子。
在氢原子作用下，就会在衬底上沉积而形成金刚石。
这种方法，虽然简单，但是沉积效率很低，比四十三所现在用的方法要低很多。
不仅如此，而且工艺稳定性差，容易造成污染。
虽然文献中还提了两种改良的方法，但是陈舟同样不认同。
因为效率是提高了，但是金刚石薄膜的质量，还是太低。
对于金刚石半导体材料和器件的研究，显然不适用。
但是，改良方法，陈舟觉得可以一试。
一种是反应气体分送的HFCVD法，也就是把碳源气体和氢气由热丝的下方和上方分别送入。
另一种是电子助进的HFCVD法，通过给衬底加大约150V的偏压，实现沉积速率的提升。
陈舟看文献的速度很快，即使是一边看一边记的情况，他的效率也远远超过了其他人。
这也得益于他系统学科升级所提供的加成。
在来之前，他把化学也悄悄的升到了Lv2，以备不时之需。
所以，有了化学学科等级的加成，陈舟疯狂的汲取着相关的化学知识。
和学数学物理不同的是，陈舟不打算用同样的方法去学化学和生物。
化学和生物这两门更偏向于实验和应用的学科，陈舟打算从实验和应用入手。
借助学科等级的加成，以高效的学习，从实验和应用中去找未知。
再通过查资料去弥补那个未知。
这样虽然没有数学和物理学的系统，但是效率却很高。
而且很适用于现在的陈舟。
把HFCVD法的文献看了三篇后，陈舟觉得大致的思路都差不多，便不再这个方法再做纠缠。
转而，他开始看下一种方法，燃烧火焰沉积法（Flame Deposition）。
这种方法最早也是由日国学者提出的，只不过是在大西洋彼岸实验室得到证实的。
这种方法主要就是将碳源气和氧气混合，在大气中燃烧。
燃烧的火焰分三个区，除了内焰和外焰外，还有一层还原焰。
将衬底放置在火焰的还原焰区域，生成金刚石。
这种方法的关键就是乙炔和氧气的混合比例R。
只有在R＝0。7～1。0区域时，才能生长成金刚石。
其他区域都不利于金刚石的生长。
“R=0。97～1。0。”
陈舟微微皱眉看着写下的这个区间。
他从文献中看到，当R＝0。97～1。0时，这种方法可以制备出透明的光学级金刚石薄膜。
习惯性的拿笔点了点草稿纸，陈舟暂时略过了这条信息，继续往下看文献。
【这种方法的优点是设备简单、成本低，能在大气中合成金刚石，生长速度快（60～150um/h），有利于大面积和复杂形状样品表面上金刚石的沉积。】
【其缺点是：沉积的金刚石薄膜具有不均匀的微观结构，薄膜常含非金刚石碳等不纯物，由于火焰的热梯度，易使衬底发生弯曲变形，并在薄膜中产生较大的热应力。】
“优缺点很明显的一种方法。”陈舟点评道。
第二百四十六章 如果有这一半的速度，再加上这质量……
到晚上十点半左右，陈舟把张一凡送出了房间。
张一凡得抓紧时间赶回学校了，据他所说，他们的宿管阿姨简直不要太凶。
如果被锁在门外，写检讨都是轻的。
搞不好还要被通报批评呢。
见他说的这么严重，陈舟自然也不敢耽误他的时间。
只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗？
要是晚归，不都是赶紧让你进来，生怕耽误你休息的吗？
帮张一凡喊了辆出租车，看着他上车，陈舟才再次回到房间。
一回去，就看到沈靖打了个哈欠。
陈舟不禁笑了笑，今天起得其实挺早的，而且在高铁上并没有补觉，这会这个点，确实有点犯困了。
“学长，先回去休息吧，明天四十三所的实验也要正式开始了。”
“没事，我再整理两篇。”沈靖说完，又打了个哈欠。
他是真的有点困了，如果按照一天的活动时间来算的话，那他已经连续近16个小时没有休息了。
“好啦，这事不急在一时，明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑，督促他赶紧去睡觉。
沈靖看了陈舟一眼，把东西收拾好，朝自己房间走去。
临出门时，他突然停下脚步，转头问陈舟：“你该不会熬夜看文献吧？”
陈舟轻声笑道：“不至于，我再看一会就睡了。”
沈靖将信将疑的离开了，但回到房间后他觉得不对，这小子的一会到底是个什么概念呢？
想了一会，沈靖把电脑重新打开了。
工作，具有专注力的工作，将抵消那股疲惫的困意！
给自己打了个气，沈靖便开始继续了。
陈舟这边，等沈靖离开后，便坐回桌子前，继续看文献。
还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。
直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。
这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。
这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。
是极快，不是一般的快！
在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930m/h的高速生长。
这可是930m/h，不是930μm/h！
而且，就算是930μm/h，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μm/h的。
更不要说930m/h了。
相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。
或许连自行车都算不上。
也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。
制备工艺的话，也并不复杂。
主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。
引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。
而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。
但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。
在沉积速度过快时，膜的表面不平整，就会大大降低膜的致密度。
看到这，陈舟古怪的笑了笑：“看来，太快了也不好……”
但是整体来说，这种方法还是很有研究潜力的。
陈舟在草稿纸上做着记录，并把自己的想法记在一旁。
把DAPCVD法的相关文献看完后，陈舟右手滑动鼠标，点开了一个新的PDF文件。
最后一个制备方法。
微波等离子体CVD法，也就是MPCVD法。
是四十三所所采用的的方法。
也是陈舟查这么文献的目的。
和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。
这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。
这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2～5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。
而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。
和DAPCVD法使用的气源相同，主要是氩气，反应气体是甲烷和氢气。
现如今，这种方法已经形成了多种形式。
不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。
它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。
举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h的速率沉积光学级金刚石薄膜。
而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。
也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。
除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。
在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。
如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。
“气体压力……”
“微波功率……”
陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。
拿笔点了两下，随手便划了两个圈。
这是重点。
放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。
MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。
很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。
此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。
而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。
可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。
但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。
看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。
“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”
第二百四十七章 这是第10组
提出一个想法是容易的，但把这个想法变为现实，却是异常困难的。
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